光電硅片生產(chǎn)工藝流程制絨
光電硅片生產(chǎn)工藝流程中的制絨環(huán)節(jié)是至關(guān)重要的一步,它直接關(guān)系到太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。以下是光電硅片生產(chǎn)工藝流程中制絨環(huán)節(jié)的詳細(xì)步驟及要點:
一、制絨目的
制絨的主要目的是在硅片表面形成絨面結(jié)構(gòu),以減少電池片的反射率,增加對入射光子的吸收,從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。絨面凹凸不平的結(jié)構(gòu)可以增加二次反射,改變光程及入射方式,使更多的光線被硅片吸收。
二、制絨方法
對于單晶硅片,通常采用堿制絨工藝。該工藝?yán)锰囟舛鹊膲A溶液(如NaOH、KOH等)對硅片進行腐蝕處理,通過控制腐蝕條件,在硅片表面形成均勻、密集的金字塔狀絨面結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)能夠顯著降低硅片表面的光反射率,提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
三、制絨工藝流程
硅片準(zhǔn)備:
從倉庫領(lǐng)取單晶硅片,檢查硅片的質(zhì)量,包括表面平整度、機械損傷和氧化層等。
將硅片按照生產(chǎn)批次進行分組,每組通常為數(shù)百片。
清洗硅片:
使用去離子水和化學(xué)清洗劑對硅片進行徹底清洗,以去除硅片表面的雜質(zhì)和油污。
清洗后的硅片需保持干燥,避免二次污染。
堿溶液配制:
根據(jù)工藝要求,配制一定濃度的堿溶液。常用的堿溶液包括NaOH、KOH等。
配制過程中需嚴(yán)格控制溶液的濃度和溫度,以確保制絨效果。
堿制絨處理:
將清洗干凈的硅片放入堿溶液中,進行腐蝕處理。
腐蝕過程中,硅片表面的{100}面與堿溶液發(fā)生反應(yīng),形成金字塔狀結(jié)構(gòu)。
通過控制腐蝕時間、溫度和堿溶液濃度等參數(shù),可以控制金字塔的大小和密度。
清洗和干燥:
將腐蝕后的硅片取出,使用去離子水進行清洗,以去除硅片表面的殘留物。
然后,使用干燥設(shè)備對硅片進行干燥處理。
質(zhì)量檢測:
對制絨后的硅片進行質(zhì)量檢測,包括表面形貌、光反射率和光電轉(zhuǎn)化效率等指標(biāo)。
不合格的硅片需進行返工或報廢處理。
四、制絨工藝要點
堿溶液濃度和溫度控制:
堿溶液的濃度和溫度是影響制絨效果的關(guān)鍵因素。過高的濃度和溫度會導(dǎo)致硅片表面過度腐蝕,形成過大的金字塔結(jié)構(gòu),降低陷光效果;而過低的濃度和溫度則會導(dǎo)致腐蝕不足,無法形成有效的金字塔結(jié)構(gòu)。
硅片清洗質(zhì)量:
硅片表面的清潔度對制絨效果具有重要影響。如果硅片表面存在油污、雜質(zhì)等污染物,會影響堿溶液與硅片的反應(yīng),導(dǎo)致制絨效果不穩(wěn)定。
腐蝕時間控制:
腐蝕時間是影響金字塔結(jié)構(gòu)大小和密度的關(guān)鍵因素。過長的腐蝕時間會導(dǎo)致金字塔結(jié)構(gòu)過大、過密,降低硅片的機械強度;而過短的腐蝕時間則會導(dǎo)致金字塔結(jié)構(gòu)過小、過疏,降低陷光效果。
五、總結(jié)
光電硅片生產(chǎn)工藝流程中的制絨環(huán)節(jié)是提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵步驟之一。通過嚴(yán)格控制堿溶液的濃度和溫度、加強硅片清洗工作、控制腐蝕時間等措施,可以制備出具有優(yōu)良陷光效果的單晶硅片,為太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作出更大的貢獻。